ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 362.66 грн |
| 10+ | 313.93 грн |
| 25+ | 296.84 грн |
| 100+ | 241.42 грн |
| 250+ | 229.04 грн |
| 500+ | 205.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Case: SO8-EP, Output current: -6...6A, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...16V DC, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Impulse rise time: 40ns, Pulse fall time: 40ns, Kind of package: tube, Kind of output: non-inverting, Protection: undervoltage UVP.
Інші пропозиції ISL89165FBEBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL89165FBEBZ | Intersil |
 SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SOкількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
ISL89165FBEBZ | Renesas / Intersil |
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 980 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISL89165FBEBZ | RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8-EP Output current: -6...6A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...16V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| ISL89165FBEBZ |
|
Виробник: Intersil
SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SO
кількість в упаковці: 98 шт
SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SO
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISL89165FBEBZ |
|
Виробник: Renesas / Intersil
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISL89165FBEBZ |
|
Виробник: RENESAS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -6...6A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -6...6A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.