ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.80 грн |
| 10+ | 331.36 грн |
| 25+ | 313.33 грн |
| 100+ | 254.83 грн |
| 250+ | 241.76 грн |
| 500+ | 216.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Kind of package: tube, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Kind of output: non-inverting, Mounting: SMD, Case: SO8-EP, Protection: undervoltage UVP, Operating temperature: -40...125°C, Output current: -6...6A, Impulse rise time: 40ns, Pulse fall time: 40ns, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...16V DC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ISL89165FBEBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL89165FBEBZ | Виробник : Intersil |
 SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SOкількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
||
| ISL89165FBEBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Kind of package: tube Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting Mounting: SMD Case: SO8-EP Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -6...6A Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...16V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
ISL89165FBEBZ | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP |
товару немає в наявності |
|
| ISL89165FBEBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Kind of package: tube Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Kind of output: non-inverting Mounting: SMD Case: SO8-EP Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Output current: -6...6A Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...16V DC |
товару немає в наявності |