ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor


FAIRS16921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 50762 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK, Power Dissipation (Max): 345W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.

Інші пропозиції ISL9N302AS3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISL9N302AS3ST Виробник : FAIRCHILD FAIRS16921-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ISL9N302AS3ST.pdf TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISL9N302AS3ST ISL9N302AS3ST Виробник : onsemi ISL9N302AS3ST.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.