ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 345W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V
на замовлення 50762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 148.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 345W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції ISL9N302AS3ST
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
ISL9N302AS3ST | Виробник : FAIRCHILD | 07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
ISL9N302AS3ST | Виробник : FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
ISL9N302AS3ST | Виробник : FAIRCHILD | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
ISL9N302AS3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
||
ISL9N302AS3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 345W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 15 V |
товар відсутній |