Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > ISL9N303AS3ST
ISL9N303AS3ST

ISL9N303AS3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS19663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 8377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
177+118.80 грн
Мінімальне замовлення: 177
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISL9N303AS3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 215W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції ISL9N303AS3ST

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISL9N303AS3ST Виробник : FAIRCHILD FAIRS19663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.