ISL9R18120S3ST onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.17 грн |
| 10+ | 119.43 грн |
| 100+ | 83.64 грн |
| 500+ | 68.79 грн |
| 800+ | 51.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9R18120S3ST onsemi / Fairchild
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 18 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Last Time Buy, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Current - Average Rectified (Io): 18A, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції ISL9R18120S3ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL9R18120S3ST | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAKCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 18 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Last Time Buy Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Average Rectified (Io): 18A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |