ISL9V2040D3ST ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 191+ | 64.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9V2040D3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ECoSPARK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ISL9V2040D3ST за ціною від 55.95 грн до 199.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 94400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 430V 10A TO-252AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 10a 400V IGBT LL avalanche |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 430V 10A TO-252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
ISL9V2040D3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| ISL9V2040D3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 400V; 10A; 130W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 10A Power dissipation: 130W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
товару немає в наявності |

