ISL9V3040S3ST onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT 430V 21A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 118.77 грн |
| 1600+ | 110.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9V3040S3ST onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs, Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції ISL9V3040S3ST за ціною від 111.23 грн до 323.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 37700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 17a 400V Logic Level |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 430V 21A TO-263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 17 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 39300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST Код товару: 84352
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
ISL9V3040S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ISL9V3040S3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
товару немає в наявності |

