ISL9V5036S3ST onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT 390V 46A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 145.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL9V5036S3ST onsemi
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V, Dauerkollektorstrom: 46A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 46A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ISL9V5036S3ST за ціною від 138.45 грн до 430.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL9V5036S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V Dauerkollektorstrom: 46A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 46A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 31A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD Gate-emitter voltage: ±10V |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 390V 46A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 32 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 46 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 46A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISL9V5036S3ST | Виробник : onsemi |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 31a 360V IGBT LL avalanche |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 31A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD Gate-emitter voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 693 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ISL9V5036S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |