ISO5852SDW Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.30 грн |
| 10+ | 446.85 грн |
| 40+ | 426.08 грн |
| 120+ | 347.19 грн |
| 280+ | 331.59 грн |
| 520+ | 302.33 грн |
| 1000+ | 259.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISO5852SDW Texas Instruments
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side, Case: SO16-W, Output current: -5...2.5A, Mounting: SMD, Impulse rise time: 35ns, Pulse fall time: 37ns, Number of channels: 2, Insulation voltage: 5.7kV, Input voltage: 2.25...5.5V, Integrated circuit features: galvanically isolated, Kind of package: tube, Protection: undervoltage UVP, Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge, Operating temperature: -40...125°C, Supply voltage: 15...30V DC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ISO5852SDW за ціною від 267.79 грн до 649.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISO5852SDW | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16-W Output current: -5...2.5A Mounting: SMD Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 37ns Number of channels: 2 Insulation voltage: 5.7kV Input voltage: 2.25...5.5V Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 15...30V DC |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver w/ split output, STO & protection features 16-SOIC -40 to 125 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISO5852SDW | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16-W Output current: -5...2.5A Mounting: SMD Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 37ns Number of channels: 2 Insulation voltage: 5.7kV Input voltage: 2.25...5.5V Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 15...30V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |