ISO5852SDW TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -5...2.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Supply voltage: 15...30V DC
Insulation voltage: 5.7kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of package: tube
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Pulse fall time: 37ns
Impulse rise time: 35ns
Input voltage: 2.25...5.5V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 529.36 грн |
| 3+ | 464.38 грн |
| 10+ | 411.63 грн |
| 40+ | 335.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISO5852SDW TEXAS INSTRUMENTS
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A, Type of integrated circuit: driver, Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge, Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side, Case: SO16-W, Output current: -5...2.5A, Number of channels: 2, Mounting: SMD, Supply voltage: 15...30V DC, Insulation voltage: 5.7kV, Integrated circuit features: galvanically isolated, Kind of package: tube, Protection: undervoltage UVP, Operating temperature: -40...125°C, Pulse fall time: 37ns, Impulse rise time: 35ns, Input voltage: 2.25...5.5V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ISO5852SDW за ціною від 270.14 грн до 635.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Description: DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC Packaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 2.7A, 5.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 1.5A, 3.4A Voltage - Isolation: 5700Vrms Approval Agency: CQC, CSA, UR, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 20ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 15V ~ 30V |
на замовлення 1787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Galvanically Isolated Gate Drivers 5.7kVrms, 2.5A/5A single-channel isolated gate driver w/ split output, STO & protection features 16-SOIC -40 to 125 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISO5852SDW | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO16-W; -5÷2.5A Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO16-W Output current: -5...2.5A Number of channels: 2 Mounting: SMD Supply voltage: 15...30V DC Insulation voltage: 5.7kV Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of package: tube Protection: undervoltage UVP Operating temperature: -40...125°C Pulse fall time: 37ns Impulse rise time: 35ns Input voltage: 2.25...5.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ISO5852SDW | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |