ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Supplier Device Package: PG-SOT223, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.
Інші пропозиції ISP13DP06NMSATMA1 за ціною від 16.51 грн до 65.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP13DP06NMSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISP13DP06NMSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Supplier Device Package: PG-SOT223 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|