ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223, Mounting: SMD, Case: PG-SOT223, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -2.8A, Gate charge: 20.2nC, On-state resistance: 0.125Ω, Power dissipation: 5W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET.
Інші пропозиції ISP13DP06NMSATMA1 за ціною від 13.12 грн до 67.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISP13DP06NMSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: PG-SOT223 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISP13DP06NMSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| ISP13DP06NMSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-SOT223
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-SOT223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.13 грн |
| 10+ | 39.79 грн |
| 100+ | 25.99 грн |
| 500+ | 18.77 грн |
| 1000+ | 16.96 грн |
| ISP13DP06NMSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.17 грн |
| 10+ | 62.16 грн |
| 100+ | 35.28 грн |
| 500+ | 20.78 грн |
| 1000+ | 18.85 грн |
| 3000+ | 13.74 грн |
| 6000+ | 13.12 грн |