
ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 74.47 грн |
10+ | 62.09 грн |
25+ | 57.34 грн |
100+ | 50.90 грн |
250+ | 44.88 грн |
500+ | 40.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISP16DP10LMAXTSA1 за ціною від 35.74 грн до 130.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
ISP16DP10LMAXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |