ISP16DP10LMAXTSA1

ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies


infineon-isp16dp10lma-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A T/R
на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+74.47 грн
10+62.09 грн
25+57.34 грн
100+50.90 грн
250+44.88 грн
500+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP16DP10LMAXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISP16DP10LMAXTSA1 за ціною від 35.74 грн до 130.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isp16dp10lma-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+80.20 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : INFINEON 3624261.pdf Description: INFINEON - ISP16DP10LMAXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.21 грн
11+78.71 грн
100+61.58 грн
500+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISP16DP10LMA_DataSheet_v02_00_EN-3536804.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.44 грн
10+85.24 грн
100+57.02 грн
500+48.29 грн
1000+39.34 грн
2000+36.99 грн
5000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: ISP16DP10LMAXTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.99 грн
10+80.42 грн
100+54.13 грн
500+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isp16dp10lma-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMAXTSA1 ISP16DP10LMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP16DP10LMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921eca50fc3bf9 Description: ISP16DP10LMAXTSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.