ISP16DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 29.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP16DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1328ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISP16DP10LMXTSA1 за ціною від 24.02 грн до 69.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1328ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP16DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.9 A, 0.1328 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1328ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ISP16DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |