Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISP20EP10LMXTSA1
ISP20EP10LMXTSA1

ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon_ISP20EP10LM_DataSheet_v02_00_EN-2942435.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 990mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISP20EP10LMXTSA1 за ціною від 32.99 грн до 56.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies ISP20EP10LMXTSA1
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.00 грн
15+50.33 грн
100+37.81 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 3624262.pdf
ISP20EP10LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 3624262.pdf
ISP20EP10LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
ISP20EP10LMXTSA1
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.00 грн
15+50.33 грн
100+37.81 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.