ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 18.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 990mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISP20EP10LMXTSA1 за ціною від 8.13 грн до 43.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP20EP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 990mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISP20EP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP20EP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 990mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISP20EP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISP20EP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005343889 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|