ISP20EP10LMXTSA1

ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50 Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 990mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISP20EP10LMXTSA1 за ціною від 8.07 грн до 43.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Виробник : INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.775ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.94 грн
500+16.67 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISP20EP10LM_DataSheet_v02_00_EN-2942435.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.40 грн
24+14.60 грн
100+10.05 грн
500+9.54 грн
1000+9.10 грн
2000+8.22 грн
10000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Виробник : INFINEON 3624262.pdf Description: INFINEON - ISP20EP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 990 mA, 1.7754 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 990mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.775ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.71 грн
36+23.46 грн
100+18.94 грн
500+16.67 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 ISP20EP10LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP20EP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2dc2f104a50 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 78µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
11+28.59 грн
25+25.26 грн
100+20.23 грн
250+18.58 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISP20EP10LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isp20ep10lm-datasheet-v02_00-en.pdf SP005343889
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.