ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae95c11911cdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISP25DP06LMSATMA1 за ціною від 8.60 грн до 47.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae95c11911cdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
12+27.41 грн
100+18.67 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISP25DP06LMS_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.36 грн
11+30.07 грн
100+17.20 грн
500+13.74 грн
1000+12.48 грн
3000+9.44 грн
9000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 Infineon-ISP25DP06LMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae95c11911cdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
12+27.41 грн
100+18.67 грн
500+14.28 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 Infineon_ISP25DP06LMS_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.36 грн
11+30.07 грн
100+17.20 грн
500+13.74 грн
1000+12.48 грн
3000+9.44 грн
9000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.