Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISP26DP06NMSATMA1
ISP26DP06NMSATMA1

ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISP26DP06NMS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1cbefba2124e
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.95 грн
11+27.94 грн
100+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISP26DP06NMSATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISP26DP06NMSATMA1 ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISP26DP06NMS-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 ISP26DP06NMSATMA1 INFINEON 3919296.pdf Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 ISP26DP06NMSATMA1 INFINEON 3919296.pdf Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 Infineon-ISP26DP06NMS-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISP26DP06NMSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 3919296.pdf
ISP26DP06NMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 3919296.pdf
ISP26DP06NMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.