Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISP650P06NMXTSA1
ISP650P06NMXTSA1

ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+36.40 грн
2000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISP650P06NMXTSA1 за ціною від 35.96 грн до 140.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.54 грн
10+72.19 грн
100+48.47 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.49 грн
111+127.61 грн
135+104.08 грн
200+93.93 грн
500+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP650P06NM_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.54 грн
10+72.19 грн
100+48.47 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 infineon-isp650p06nm-ds-v02_00-en.pdf
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+140.49 грн
111+127.61 грн
135+104.08 грн
200+93.93 грн
500+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon_ISP650P06NM_DS_v02_00_EN.pdf
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.