ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+37.50 грн
2000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISP650P06NMXTSA1 за ціною від 28.76 грн до 126.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.11 грн
10+74.37 грн
100+49.93 грн
500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP650P06NM_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.63 грн
10+75.30 грн
100+46.17 грн
500+37.00 грн
1000+33.76 грн
2000+29.25 грн
5000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.11 грн
10+74.37 грн
100+49.93 грн
500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon_ISP650P06NM_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.63 грн
10+75.30 грн
100+46.17 грн
500+37.00 грн
1000+33.76 грн
2000+29.25 грн
5000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.