Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISP670P06NMAXTSA1
ISP670P06NMAXTSA1

ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies

Infineon_ISP670P06NMA_DataSheet_v02_00_EN-3536878.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.46 грн
10+87.14 грн
100+60.11 грн
500+50.03 грн
1000+43.33 грн
2000+41.35 грн
5000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP670P06NMAXTSA1 Infineon Technologies

Description: ISP670P06NMAXTSA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ISP670P06NMAXTSA1 за ціною від 45.51 грн до 146.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP670P06NMAXTSA1 ISP670P06NMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP670P06NMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921ed361683c30 Description: ISP670P06NMAXTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+90.04 грн
100+60.95 грн
500+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISP670P06NMAXTSA1 ISP670P06NMAXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP670P06NMA-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d01921ed361683c30 Description: ISP670P06NMAXTSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.