ISP75DP06LMXTSA1

ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies


Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISP75DP06LMXTSA1 за ціною від 10.68 грн до 62.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.621ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.12 грн
500+16.02 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISP75DP06LM_DS_v02_00_EN-1578806.pdf MOSFETs Y
на замовлення 12524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.89 грн
10+40.86 грн
100+24.72 грн
500+19.27 грн
1000+14.86 грн
2000+14.71 грн
10000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: INFINEON - ISP75DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.621 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.621ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
28+30.37 грн
100+19.56 грн
500+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISP75DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730ea4a739d Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 30 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.87 грн
10+37.93 грн
100+24.62 грн
500+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISP75DP06LMXTSA1 ISP75DP06LMXTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isp75dp06lm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.