| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.53 грн |
| 21+ | 15.67 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 10.43 грн |
| 1000+ | 10.15 грн |
| 5000+ | 9.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISP98DP10LMXTSA1 за ціною від 18.85 грн до 43.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISP98DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISP98DP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
ISP98DP10LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| ISP98DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon |
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
ISP98DP10LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 1.55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 165µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |