ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7143+ | 1.81 грн |
| 7282+ | 1.78 грн |
| 9000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ISS55EP06LMXTSA1 за ціною від 1.83 грн до 32.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V |
на замовлення 83993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 16276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISS55EP06LMXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |