Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISS55EP06LMXTSA1
ISS55EP06LMXTSA1

ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.37 грн
6000+2.96 грн
9000+2.33 грн
15000+2.12 грн
21000+2.05 грн
30000+2.01 грн
75000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISS55EP06LMXTSA1 за ціною від 2.54 грн до 20.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.33 грн
113+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
31+10.08 грн
100+5.15 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISS55EP06LM_DS_v02_00_EN-1578811.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 16276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.94 грн
32+10.46 грн
100+4.44 грн
500+4.02 грн
1000+3.52 грн
3000+2.82 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+20.39 грн
67+12.33 грн
113+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.33 грн
113+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 83993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
31+10.08 грн
100+5.15 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon_ISS55EP06LM_DS_v02_00_EN-1578811.pdf
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 16276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.94 грн
32+10.46 грн
100+4.44 грн
500+4.02 грн
1000+3.52 грн
3000+2.82 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
41+20.39 грн
67+12.33 грн
113+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.