IST006N04NM6AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 100.20 грн |
| 500+ | 92.28 грн |
| 1000+ | 84.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IST006N04NM6AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IST006N04NM6AUMA1 за ціною від 84.48 грн до 291.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IST006N04NM6AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IST006N04NM6AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IST006N04NM6AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V |
на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IST006N04NM6AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 6094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IST006N04NM6AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005405153 |
товару немає в наявності |