Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IST011N06NM5AUMA1
IST011N06NM5AUMA1

IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IST011N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa91e7c17ec7
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 399A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 399A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Інші пропозиції IST011N06NM5AUMA1 за ціною від 117.00 грн до 365.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 INFINEON 3974495.pdf Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.70 грн
500+131.33 грн
1000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 INFINEON 3974495.pdf Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.03 грн
10+221.20 грн
100+158.70 грн
500+131.33 грн
1000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IST011N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa91e7c17ec7 Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 399A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.10 грн
10+222.96 грн
100+159.21 грн
500+142.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IST011N06NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+365.92 грн
10+261.81 грн
100+183.25 грн
500+145.19 грн
2000+121.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 3974495.pdf
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+158.70 грн
500+131.33 грн
1000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 3974495.pdf
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST011N06NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 399 A, 900 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 399A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+333.03 грн
10+221.20 грн
100+158.70 грн
500+131.33 грн
1000+117.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 Infineon-IST011N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa91e7c17ec7
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 399A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.10 грн
10+222.96 грн
100+159.21 грн
500+142.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST011N06NM5AUMA1 Infineon_IST011N06NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IST011N06NM5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.92 грн
10+261.81 грн
100+183.25 грн
500+145.19 грн
2000+121.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.