IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 399A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V

на замовлення 1277 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	377.96 грн
10+	306.04 грн
100+	247.57 грн
500+	206.52 грн
1000+	176.83 грн

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IST011N06NM5AUMA1 за ціною від 182.01 грн до 410.73 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IST011N06NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET TRENCH 40<-<100V	на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 1+ 410.73 грн 10+  339.93 грн 25+  286.96 грн 100+  239.8 грн 250+  232.49 грн 500+  213.23 грн 1000+  182.01 грн купити
	IST011N06NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-Channel MOSFET	товар відсутній	купити
	IST011N06NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 399A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V	товар відсутній	купити