IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V

на замовлення 755 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	348.56 грн
10+	253.66 грн
100+	181.71 грн
500+	141.62 грн

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IST019N08NM5AUMA1 за ціною від 142.72 грн до 393.10 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IST019N08NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs N	на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна 1+ 393.10 грн 10+ 271.58 грн 100+ 169.21 грн 500+ 142.72 грн купити В кошику  од. на суму  грн.
	IST019N08NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	N-Channel MOSFET	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.
	IST019N08NM5AUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.