| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 298.80 грн |
| 10+ | 196.09 грн |
| 100+ | 120.81 грн |
| 500+ | 103.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V.
Інші пропозиції IST019N08NM5AUMA1 за ціною від 138.21 грн до 340.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IST019N08NM5AUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IST019N08NM5AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 290A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 340.17 грн |
| 10+ | 247.54 грн |
| 100+ | 177.33 грн |
| 500+ | 138.21 грн |