Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IST026N10NM5AUMA1

IST026N10NM5AUMA1

Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd
Код товару: 183505
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IST026N10NM5AUMA1 за ціною від 106.43 грн до 375.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IST026N10NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.89 грн
10+201.83 грн
100+124.75 грн
500+114.18 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.89 грн
10+204.75 грн
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.06 грн
10+240.22 грн
100+171.40 грн
500+133.33 грн
1000+129.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 Infineon_IST026N10NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+305.89 грн
10+201.83 грн
100+124.75 грн
500+114.18 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+305.89 грн
10+204.75 грн
100+145.55 грн
500+123.70 грн
1000+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd
IST026N10NM5AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+375.06 грн
10+240.22 грн
100+171.40 грн
500+133.33 грн
1000+129.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.