IST026N10NM5AUMA1


Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd
Код товару: 183505
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IST026N10NM5AUMA1 за ціною від 105.01 грн до 370.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.58 грн
500+119.03 грн
1000+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ist026n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+262.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.50 грн
10+201.20 грн
100+156.58 грн
500+119.03 грн
1000+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IST026N10NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.81 грн
10+199.13 грн
100+123.09 грн
500+112.66 грн
1000+105.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.04 грн
10+237.01 грн
100+169.11 грн
500+131.54 грн
1000+127.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ist026n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd N-Channel 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 3.8W (Ta), 313W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-1 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.