IST026N10NM5AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.0026 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 218.40 грн |
| 500+ | 180.00 грн |
| 1000+ | 142.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IST026N10NM5AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.0026 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IST026N10NM5AUMA1 за ціною від 132.92 грн до 386.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.0026 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
на замовлення 1663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IST026N10NM5AUMA1 Код товару: 183505
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005405485 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IST026N10NM5AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |