Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ019N03L5SATMA1
ISZ019N03L5SATMA1

ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm.

Інші пропозиції ISZ019N03L5SATMA1 за ціною від 33.00 грн до 109.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.97 грн
10+71.39 грн
100+50.23 грн
500+38.27 грн
1000+35.36 грн
2000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ019N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399776.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991 Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.97 грн
10+71.39 грн
100+50.23 грн
500+38.27 грн
1000+35.36 грн
2000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon_ISZ019N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399776.pdf
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
ISZ019N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ019N03L5SATMA1 Infineon-ISZ019N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8c249de0991
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.