ISZ025N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.14 грн |
| 10+ | 84.23 грн |
| 25+ | 76.47 грн |
| 100+ | 63.74 грн |
| 250+ | 59.90 грн |
| 500+ | 57.59 грн |
| 1000+ | 54.78 грн |
| 2500+ | 52.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ025N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V.
Інші пропозиції ISZ025N06NM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ025N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V |
на замовлення 3465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ISZ025N06NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)