ISZ028N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.73 грн |
| 10+ | 71.24 грн |
| 50+ | 53.39 грн |
| 100+ | 44.67 грн |
| 500+ | 35.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ028N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.
Інші пропозиції ISZ028N03LF2SATMA1 за ціною від 27.49 грн до 127.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ028N03LF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency |
на замовлення 4955 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISZ028N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ISZ028N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISZ028N03LF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.41 грн |
| 10+ | 59.51 грн |
| 100+ | 46.18 грн |
| 500+ | 36.28 грн |
| 1000+ | 34.67 грн |
| 2500+ | 33.06 грн |
| 5000+ | 27.49 грн |
| ISZ028N03LF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISZ028N03LF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)