Продукція > INFINEON > ISZ028N03LF2SATMA1
ISZ028N03LF2SATMA1

ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON

ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.00 грн
500+43.32 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ028N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISZ028N03LF2SATMA1 за ціною від 27.39 грн до 100.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ028N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN-3536066.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.89 грн
10+65.47 грн
100+44.27 грн
500+37.52 грн
1000+30.54 грн
2500+28.77 грн
5000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 Виробник : INFINEON ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.71 грн
13+70.75 грн
100+55.00 грн
500+43.32 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ028N03LF2SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISZ028N03LF2SATMA1.pdf Description: ISZ028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.