ISZ034N06LM5ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 133.24 грн |
| 250+ | 95.77 грн |
| 1000+ | 60.93 грн |
| 3000+ | 55.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ034N06LM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISZ034N06LM5ATMA1 за ціною від 53.12 грн до 209.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ034N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
на замовлення 3711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISZ034N06LM5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ034N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISZ034N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005402741 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
ISZ034N06LM5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |