Продукція > INFINEON > ISZ034N06LM5ATMA1
ISZ034N06LM5ATMA1

ISZ034N06LM5ATMA1 INFINEON

3328491.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+166.10 грн
250+113.48 грн
1000+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ034N06LM5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISZ034N06LM5ATMA1 за ціною від 58.49 грн до 257.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISZ034N06LM5ATMA1 ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ034N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f6955876aa2 Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.47 грн
10+120.03 грн
100+82.43 грн
500+62.25 грн
1000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1 ISZ034N06LM5ATMA1 INFINEON 3328491.pdf Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+257.38 грн
50+166.10 грн
250+113.48 грн
1000+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon-ISZ034N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f6955876aa2
ISZ034N06LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.47 грн
10+120.03 грн
100+82.43 грн
500+62.25 грн
1000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ034N06LM5ATMA1 3328491.pdf
ISZ034N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+257.38 грн
50+166.10 грн
250+113.48 грн
1000+83.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.