ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.73 грн |
| 20+ | 16.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISZ040N03L5ISATMA1 за ціною від 10.96 грн до 27.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3300 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 7268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 8137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 40A; 37W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 37W Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Technology: MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
ISZ040N03L5ISATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |