Продукція > INFINEON > ISZ056N03LF2SATMA1
ISZ056N03LF2SATMA1

ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON

ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.96 грн
500+24.28 грн
1000+18.54 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISZ056N03LF2SATMA1 за ціною від 14.17 грн до 83.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: ISZ056N03LF2SATMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.69 грн
100+27.21 грн
500+19.69 грн
1000+17.80 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ056N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.39 грн
10+47.09 грн
100+26.78 грн
500+20.65 грн
1000+17.06 грн
5000+14.80 грн
10000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 INFINEON ISZ056N03LF2SATMA1.pdf Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
16+51.80 грн
100+33.96 грн
500+24.28 грн
1000+18.54 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
ISZ056N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISZ056N03LF2SATMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.98 грн
10+41.69 грн
100+27.21 грн
500+19.69 грн
1000+17.80 грн
2000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 Infineon_ISZ056N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN.pdf
ISZ056N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.39 грн
10+47.09 грн
100+26.78 грн
500+20.65 грн
1000+17.06 грн
5000+14.80 грн
10000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1.pdf
ISZ056N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ056N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 5600 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
16+51.80 грн
100+33.96 грн
500+24.28 грн
1000+18.54 грн
5000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.