ISZ065N03L5SATMA1

ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISZ065N03L5SATMA1 за ціною від 15.95 грн до 38.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 12965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+26.36 грн
100+21.13 грн
500+18.46 грн
1000+16.81 грн
2000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ065N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399781.pdf MOSFETs N
на замовлення 15575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
11+31.22 грн
100+19.64 грн
500+16.41 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.05 грн
25+34.25 грн
100+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isz065n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.