ISZ0702NLSATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.00 грн |
| 500+ | 47.24 грн |
| 1000+ | 33.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ0702NLSATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ISZ0702NLSATMA1 за ціною від 30.52 грн до 102.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |