Технічний опис ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ISZ0702NLSATMA1 за ціною від 34.50 грн до 147.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 9650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 10907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 34.50 грн |
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 38.28 грн |
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 133.93 грн |
| 151+ | 93.19 грн |
| 200+ | 84.86 грн |
| 500+ | 67.65 грн |
| 1000+ | 58.54 грн |
| 5000+ | 48.09 грн |
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.79 грн |
| 10+ | 90.65 грн |
| 100+ | 60.90 грн |
| 500+ | 45.19 грн |
| 1000+ | 41.34 грн |
| 2000+ | 38.10 грн |
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISZ0702NLSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)