ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 31.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ0702NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ISZ0702NLSATMA1 за ціною від 31.38 грн до 130.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ0702NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 9650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ISZ0702NLSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 65W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 86A Power dissipation: 65W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |