Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ106N12LM6ATMA1
ISZ106N12LM6ATMA1

ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.54 грн
10+104.08 грн
100+75.76 грн
500+59.93 грн
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V.

Інші пропозиції ISZ106N12LM6ATMA1 за ціною від 52.46 грн до 160.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISZ106N12LM6ATMA1 ISZ106N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ106N12LM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.54 грн
10+113.29 грн
100+71.93 грн
500+59.03 грн
1000+54.49 грн
5000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isz106n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ106N12LM6ATMA1 ISZ106N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ106N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a3bb45372 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.