ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.35 грн |
| 10+ | 112.19 грн |
| 100+ | 94.98 грн |
| 500+ | 78.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ISZ143N13NM6ATMA1 за ціною від 69.09 грн до 206.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ143N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISZ143N13NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISZ143N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
ISZ143N13NM6ATMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
ISZ143N13NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-36 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 68 V |
товару немає в наявності |