ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.94 грн |
| 10+ | 64.85 грн |
| 100+ | 43.16 грн |
| 500+ | 31.77 грн |
| 1000+ | 28.96 грн |
| 2000+ | 26.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції ISZ24DP10LMATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ24DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 6118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ISZ24DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 6118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)