| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.85 грн |
| 10+ | 69.87 грн |
| 100+ | 44.03 грн |
| 500+ | 35.32 грн |
| 1000+ | 28.84 грн |
| 5000+ | 26.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції ISZ24DP10LMATMA1 за ціною від 26.91 грн до 108.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ24DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ISZ24DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.17 грн |
| 10+ | 65.59 грн |
| 100+ | 43.66 грн |
| 500+ | 32.14 грн |
| 1000+ | 29.30 грн |
| 2000+ | 26.91 грн |