ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.84 грн |
| 10+ | 91.45 грн |
| 100+ | 70.83 грн |
| 500+ | 57.19 грн |
| 1000+ | 56.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.
Інші пропозиції ISZ520N20NM6ATMA1 за ціною від 49.60 грн до 137.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISZ520N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 9209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISZ520N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
ISZ520N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
