Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ520N20NM6ATMA1
ISZ520N20NM6ATMA1

ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ520N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286fe540f2f Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.27 грн
10+95.56 грн
100+72.16 грн
500+57.16 грн
1000+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISZ520N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції ISZ520N20NM6ATMA1 за ціною від 53.34 грн до 151.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISZ520N20NM6ATMA1 ISZ520N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISZ520N20NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398016.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 9693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.92 грн
10+108.29 грн
100+72.69 грн
250+72.02 грн
500+60.40 грн
1000+54.00 грн
5000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1 ISZ520N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isz520n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ520N20NM6ATMA1 ISZ520N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISZ520N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286fe540f2f Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47.8mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.