IV1D06006P3 Inventchip
Виробник: Inventchip
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.7A TO2523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 224pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.7A
Supplier Device Package: TO-252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.78 грн |
| 10+ | 72.42 грн |
| 100+ | 48.63 грн |
| 500+ | 36.06 грн |
| 1000+ | 32.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IV1D06006P3 Inventchip
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.7A TO2523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 224pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16.7A, Supplier Device Package: TO-252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IV1D06006P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IV1D06006P3 | Inventchip |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.7A TO2523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 224pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16.7A Supplier Device Package: TO-252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IV1D06006P3 |
|
Виробник: Inventchip
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.7A TO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 224pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.7A
Supplier Device Package: TO-252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.7A TO2523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 224pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.7A
Supplier Device Package: TO-252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.