Продукція > IXYS > IXA12IF1200HB
IXA12IF1200HB

IXA12IF1200HB IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.86 грн
10+262.14 грн
30+224.91 грн
120+197.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA12IF1200HB IXYS

Description: IGBT 1200V 20A 85W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 85 W.

Інші пропозиції IXA12IF1200HB за ціною від 235.69 грн до 473.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200hb_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 20A 85W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 85 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.53 грн
30+295.21 грн
120+253.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BF1DC4F060958BF&compId=IXA12IF1200HB.pdf?ci_sign=299bea4b8317f292597b6ce020d3fb5193cac378 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 350ns
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Turn-on time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.43 грн
10+326.66 грн
30+269.90 грн
120+237.59 грн
510+235.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB Виробник : IXYS ixyss09848_1-2272472.pdf IGBT Transistors XPT IGBT Copack
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.65 грн
10+419.67 грн
30+344.40 грн
120+298.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.