Продукція > LITTELFUSE > IXA12IF1200PB
IXA12IF1200PB

IXA12IF1200PB Littelfuse


ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 85000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+255.77 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA12IF1200PB Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A.

Інші пропозиції IXA12IF1200PB за ціною від 187.60 грн до 565.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXA12IF1200PB_Datash-3079767.pdf IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.33 грн
10+308.80 грн
50+254.55 грн
100+219.97 грн
500+187.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXA12IF1200PB - IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+565.32 грн
10+305.36 грн
100+279.77 грн
500+251.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa12if1200pb_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 1200V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 85 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA12IF1200PB IXA12IF1200PB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAB63A1675A5820&compId=IXA12IF1200PB.pdf?ci_sign=3a3b930c74ed5ec2abbc2b27f4648ec3ddaa92c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 13A; 85W; TO220-3
Collector current: 13A
Case: TO220-3
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 85W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.