на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1322.31 грн |
| 10+ | 1008.86 грн |
| 120+ | 758.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA17IF1200HJ IXYS
Description: IGBT PT 1200V 28A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 47 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 28 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IXA17IF1200HJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXA17IF1200HJ Код товару: 132443
Додати до обраних
Обраний товар
|
 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||
 |
IXA17IF1200HJ | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 28A 100mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IXA17IF1200HJ | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 28A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 350 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: PT Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 47 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
|
 |
IXA17IF1200HJ | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 18A; 100W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 47nC Turn-on time: 110ns Turn-off time: 350ns Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Power dissipation: 100W Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |