IXA20PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Electrical mounting: SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 130W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SMPD-B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Topology: IGBT half-bridge
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 765.88 грн |
| 3+ | 623.96 грн |
| 10+ | 593.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Electrical mounting: SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Power dissipation: 130W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Pulsed collector current: 45A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SMPD-B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Topology: IGBT half-bridge.
Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXA20PG1200DHGLB |
|
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)