IXA20PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: SMT
Case: SMPD-B
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 773.06 грн |
| 3+ | 629.80 грн |
| 10+ | 611.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Topology: IGBT half-bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Electrical mounting: SMT, Case: SMPD-B, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV.
Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA20PG1200DHGLB | IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXA20PG1200DHGLB |
|
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.