Продукція > IXYS > IXA20PG1200DHGLB
IXA20PG1200DHGLB

IXA20PG1200DHGLB IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.30 грн
2+623.03 грн
3+586.01 грн
10+566.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Topology: IGBT half-bridge, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 23A, Pulsed collector current: 45A, Power dissipation: 130W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SMPD-B, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB за ціною від 679.58 грн до 863.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA72D372C388143&compId=IXA20PG1200DHGLB.pdf?ci_sign=92f5d9e5dd1ef2369a8aa01671aa29244ac7835a pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BFA7B6B514524143&compId=SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief.pdf?ci_sign=8939cb3b27982fb8078171d673d8402b08fb3dc3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.16 грн
2+776.39 грн
3+703.21 грн
10+679.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Виробник : IXYS IXA20PG1200DHGLB-312488.pdf IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXA20PG1200DHGLB IXA20PG1200DHGLB Виробник : Littelfuse crete_igbts_smpd_packages_ixa20pg1200dhglb_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 32A 130000mW 9-Pin SMPD-X T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.