IXA20PG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV
Power dissipation: 130W
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Max. off-state voltage: 1.2kV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 768.19 грн |
| 3+ | 625.84 грн |
| 10+ | 609.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA20PG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 1.2kV, Power dissipation: 130W, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Collector current: 23A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Max. off-state voltage: 1.2kV.
Інші пропозиції IXA20PG1200DHGLB
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA20PG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |