IXA30RG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Case: SMPD-B
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 30A, Case: SMPD-B, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA30RG1200DHGLB за ціною від 536.35 грн до 536.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 30A Case: SMPD-B Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 147W Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
| IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD |
товару немає в наявності |
||||||
| IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT Phaseleg |
товару немає в наявності |