IXA30RG1200DHGLB IXYS
Виробник: IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT
Topology: boost chopper
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™
Electrical mounting: SMT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 147W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SMPD-B
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 448.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA30RG1200DHGLB IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT, Topology: boost chopper, Semiconductor structure: diode/transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™, Electrical mounting: SMT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 75A, Power dissipation: 147W, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SMPD-B, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXA30RG1200DHGLB за ціною від 538.46 грн до 538.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; SMT Topology: boost chopper Semiconductor structure: diode/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: ISOPLUS™; Sonic FRD™ Electrical mounting: SMT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 147W Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SMPD-B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
| IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD |
товару немає в наявності |
||||||
 |
IXA30RG1200DHGLB | Виробник : IXYS |
IGBTs XPT IGBT Phaseleg |
товару немає в наявності |