Продукція > IXYS > IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ

IXA37IF1200HJ IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55 Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1287.79 грн
3+1130.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA37IF1200HJ IXYS

Description: IGBT 1200V 58A 195W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V, Gate Charge: 106 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 58 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 195 W.

Інші пропозиції IXA37IF1200HJ за ціною від 1359.84 грн до 1545.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ Виробник : IXYS media-3321545.pdf IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1359.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F187B680865820&compId=IXA37IF1200HJ.pdf?ci_sign=d85df4621c1de3de20b1ce19f7cad76b3d699e55 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Planar; 1.2kV; 37A; 195W; PLUS247™
Collector current: 37A
Case: PLUS247™
Technology: Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 195W
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 110ns
Turn-off time: 350ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1545.35 грн
3+1408.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa37if1200hj_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 58A 195000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa37if1200hj_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 58A 195W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Switching Energy: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 106 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 58 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 195 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.