Продукція > IXYS > IXA70I1200NA
IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2514.99 грн
2+2208.79 грн
3+2208.00 грн
10+2173.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA70I1200NA IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: high voltage, Technology: XPT™, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 65A, Pulsed collector current: 150A, Power dissipation: 350W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXA70I1200NA за ціною від 1922.73 грн до 3076.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F2CDC3016C5820&compId=IXA70I1200NA.pdf?ci_sign=1464344c37dfa780e4641b18a4a9fec667ded4ae Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 65A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3017.98 грн
2+2752.49 грн
3+2649.61 грн
10+2608.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS media-3320581.pdf IGBT Modules XPT Single IGBT
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3076.90 грн
10+2322.22 грн
20+1979.33 грн
50+1940.84 грн
100+1922.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa70i1200na_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 350000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS IXA70I1200NA.pdf Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.