Продукція > IXYS > IXA70I1200NA
IXA70I1200NA

IXA70I1200NA IXYS


IXA70I1200NA.pdf Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2463.47 грн
2+2163.36 грн
3+2162.60 грн
10+2118.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXA70I1200NA IXYS

Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA.

Інші пропозиції IXA70I1200NA за ціною від 1874.52 грн до 2999.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS IXA70I1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 65A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: high voltage
Technology: XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2956.17 грн
2+2695.88 грн
3+2595.12 грн
10+2542.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS media-3320581.pdf IGBT Modules XPT Single IGBT
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2999.74 грн
10+2263.99 грн
20+1929.69 грн
50+1892.17 грн
100+1874.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa70i1200na_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 350000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXA70I1200NA IXA70I1200NA Виробник : IXYS Description: IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.