на замовлення 10 шт:
термін постачання 680-689 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2478.25 грн |
| 10+ | 2171.22 грн |
| 20+ | 1761.25 грн |
| 50+ | 1706.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXA70R1200NA IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 70ns/250ns, Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 190 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W.
Інші пропозиції IXA70R1200NA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXA70R1200NA | Виробник : Littelfuse |
 IGBT Module, High Voltage, High Gain Bipolar MOS Transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
IXA70R1200NA | Виробник : IXYS |
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 70ns/250ns Switching Energy: 4.5mJ (on), 5.5mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 190 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W |
товару немає в наявності |