IXBA14N300HV IXYS

Name: IXBA14N300HV
Brand: IXYS
SKU: 12876419-3
Price: 2721.74 UAH
Availability: InStock

littelfuse-discrete-igbts-ixb-14n300hv-datasheet?assetguid=6643a0d7-67d9-4a4e-8987-b0703e2c517c

Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A
Supplier Device Package: TO-263
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns
Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2721.74 грн
50+	1664.11 грн
100+	1651.83 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXBA14N300HV IXYS

Description: IGBT NPT 3000V 38A TO-263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 14A, Supplier Device Package: TO-263, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/166ns, Test Condition: 960V, 14A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 38 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXBA14N300HV

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXBA14N300HV	Виробник : Littelfuse	Trans IGBT Chip N-CH 3000V 38A 200W 3-Pin(2+Tab) TO-263HV	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IXBA14N300HV	Виробник : IXYS	IGBTs TO263 3KV 14A HI GAIN	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IXBA14N300HV	Виробник : IXYS	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 3kV; 38A; 200W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Gate charge: 62nC Collector current: 38A Power dissipation: 200W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 3kV Pulsed collector current: 120A	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.