Продукція > IXYS > IXBA16N170AHV
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD01F9B98FE5820&compId=IXBA16N170AHV.pdf?ci_sign=95336b0cb3303bf228c8eebd741f5683b4c5f35c Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1564.55 грн
2+1373.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBA16N170AHV IXYS

Description: REVERSE CONDUCTING IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263HV, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns, Switching Energy: 2.5mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXBA16N170AHV за ціною від 1596.10 грн до 2263.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99AD01F9B98FE5820&compId=IXBA16N170AHV.pdf?ci_sign=95336b0cb3303bf228c8eebd741f5683b4c5f35c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 65nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Power dissipation: 150W
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.46 грн
2+1711.75 грн
50+1596.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf Description: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2263.42 грн
10+2009.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV Виробник : Littelfuse fuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf High Voltage, High Gain BIMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf MOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.