IXBA16N170AHV IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 65nC
Technology: BiMOSFET™
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 43ns
Turn-off time: 370ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1483.63 грн |
2+ | 1302.74 грн |
3+ | 1302.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBA16N170AHV IXYS
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263HV, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns, Switching Energy: 2.5mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXBA16N170AHV за ціною від 1562.45 грн до 1983.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBA16N170AHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 150W; TO263 Mounting: SMD Power dissipation: 150W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 65nC Technology: BiMOSFET™ Case: TO263 Collector-emitter voltage: 1.7kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 40A Turn-on time: 43ns Turn-off time: 370ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXBA16N170AHV | Виробник : IXYS |
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-263HV Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns Switching Energy: 2.5mJ (off) Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IXBA16N170AHV | Виробник : Littelfuse | High Voltage, High Gain BIMOSFET |
товар відсутній |
||||||||||
IXBA16N170AHV | Виробник : IXYS | MOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT |
товар відсутній |