IXBA16N170AHV IXYS
Виробник: IXYSDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263HV
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2300.98 грн |
| 10+ | 2043.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBA16N170AHV IXYS
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-263HV, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns, Switching Energy: 2.5mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXBA16N170AHV за ціною від 1675.70 грн до 1772.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXBA16N170AHV | Виробник : IXYS |
IXBA16N170AHV SMD IGBT transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
IXBA16N170AHV | Виробник : Littelfuse |
High Voltage, High Gain BIMOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IXBA16N170AHV | Виробник : IXYS |
MOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT |
товару немає в наявності |
