Продукція > IXYS > IXBA16N170AHV
IXBA16N170AHV

IXBA16N170AHV IXYS


littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2178.07 грн
10+1934.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBA16N170AHV IXYS

Description: REVERSE CONDUCTING IGBT, Power - Max: 150 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Part Status: Active, Gate Charge: 65 nC, Test Condition: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2.5mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/250ns, Supplier Device Package: TO-263HV, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXBA16N170AHV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBA16N170AHV IXBA16N170AHV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf MOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBA16N170AHV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_16n170ahv_datasheet.pdf.pdf
IXBA16N170AHV
Виробник: IXYS
MOSFET IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.