Продукція > IXYS > IXBF20N300

IXBF20N300 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXBF20N300 THT IGBT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4346.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBF20N300 IXYS

Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Gate Charge: 105 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 150 W.

Інші пропозиції IXBF20N300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBF20N300 IXBF20N300 Виробник : Littelfuse telfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 IXBF20N300 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF20N300 IXBF20N300 Виробник : IXYS media-3321871.pdf IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.