IXBF20N300 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 150 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBF20N300 IXYS
Description: IGBT 3000V 34A ISOPLUS I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Gate Charge: 105 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 150 W.
Інші пропозиції IXBF20N300
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBF20N300 | IXYS |
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXBF20N300 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ Features of semiconductor devices: high voltage Pulsed collector current: 130A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 0.3µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 34A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXBF20N300 |
|
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXBF20N300 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 130A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.