Продукція > IXYS > IXBF42N300

IXBF42N300 IXYS


DS100325A(IXBF42N300).pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V TO247
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBF42N300 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 3kV, Collector current: 24A, Power dissipation: 240W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 380A, Mounting: THT, Gate charge: 200nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Features of semiconductor devices: high voltage.

Інші пропозиції IXBF42N300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXBF42N300 IXBF42N300 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXBF42N300_Datasheet.PDF MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300 IXBF42N300 IXYS IXBF42N300.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXBF42N300_Datasheet.PDF
IXBF42N300
Виробник: IXYS
MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBF42N300 IXBF42N300.pdf
IXBF42N300
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.