IXBF42N300 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Mounting: THT
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Collector-emitter voltage: 3kV
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 200nC
Technology: BiMOSFET™
Collector current: 24A
Pulsed collector current: 380A
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 240W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3862.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBF42N300 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Mounting: THT, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Collector-emitter voltage: 3kV, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 200nC, Technology: BiMOSFET™, Collector current: 24A, Pulsed collector current: 380A, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Type of transistor: IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 240W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXBF42N300 за ціною від 4401.71 грн до 4635.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXBF42N300 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Mounting: THT Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Collector-emitter voltage: 3kV Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 200nC Technology: BiMOSFET™ Collector current: 24A Pulsed collector current: 380A Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 240W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||
IXBF42N300 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 3000V 60A 240000mW ISOPLUS I4-Pak |
товар відсутній |
||||||||
IXBF42N300 | Виробник : IXYS | Description: IGBT 3000V TO247 |
товар відсутній |
||||||||
IXBF42N300 | Виробник : IXYS | MOSFET IGBT DISC IGBT |
товар відсутній |