Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBF42N300 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c, Type of transistor: IGBT, Technology: BiMOSFET™, Collector-emitter voltage: 3kV, Collector current: 24A, Power dissipation: 240W, Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 380A, Mounting: THT, Gate charge: 200nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 652ns, Turn-off time: 950ns, Features of semiconductor devices: high voltage.
Інші пропозиції IXBF42N300
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXBF42N300 | IXYS |
MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IXBF42N300 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Collector-emitter voltage: 3kV Collector current: 24A Power dissipation: 240W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 380A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Turn-on time: 652ns Turn-off time: 950ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXBF42N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXBF42N300 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 24A; 240W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Collector-emitter voltage: 3kV
Collector current: 24A
Power dissipation: 240W
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 380A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 652ns
Turn-off time: 950ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




