Продукція > IXYS > IXBH10N170
IXBH10N170

IXBH10N170 IXYS

IXBH(T)10N170.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 1.8µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+714.09 грн
2+641.73 грн
5+606.69 грн
10+585.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBH10N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns, Switching Energy: 6mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.

Інші пропозиції IXBH10N170 за ціною від 427.07 грн до 906.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=A397FBB6-9F6D-4C83-9FC4-A34BC7BDBE40&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-10N170-Datasheet.PDF Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.28 грн
30+507.49 грн
120+433.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH10N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_10N170_Datasheet.PDF IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+906.38 грн
10+557.31 грн
120+427.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 IXBH10N170 LITTELFUSE media?resourcetype=datasheets&itemid=A397FBB6-9F6D-4C83-9FC4-A34BC7BDBE40&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-10N170-Datasheet.PDF Description: LITTELFUSE - IXBH10N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 20A, TO-247AD
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.4V
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 media?resourcetype=datasheets&itemid=A397FBB6-9F6D-4C83-9FC4-A34BC7BDBE40&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-10N170-Datasheet.PDF
IXBH10N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+879.28 грн
30+507.49 грн
120+433.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_10N170_Datasheet.PDF
IXBH10N170
Виробник: IXYS
IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds
на замовлення 158 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+906.38 грн
10+557.31 грн
120+427.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N170 media?resourcetype=datasheets&itemid=A397FBB6-9F6D-4C83-9FC4-A34BC7BDBE40&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-BiMOSFET-IXB-10N170-Datasheet.PDF
IXBH10N170
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBH10N170 - TRANSISTOR, IGBT, 1.7KV, 20A, TO-247AD
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.4V
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.