IXBH10N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 360 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns
Switching Energy: 6mJ (off)
Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 140 W
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 744.19 грн |
| 30+ | 425.85 грн |
| 120+ | 362.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXBH10N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 20A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 360 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247AD, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/500ns, Switching Energy: 6mJ (off), Test Condition: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 140 W.
Інші пропозиції IXBH10N170 за ціною від 435.78 грн до 919.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs 10 Amps 1700V 2.3 Rds |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXBH10N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 10A; 140W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 30nC Turn-on time: 63ns Turn-off time: 1.8µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Power dissipation: 140W Collector-emitter voltage: 1.7kV Technology: BiMOSFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|