Продукція > Транзистори > IGBT > IXBH10N300HV

IXBH10N300HV

littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n300hv_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 161629
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXBH10N300HV

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n300hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_10N300HV_Datasheet.PDF IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBH10N300HV IXYS IXBA(H)10N300HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 180W
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 88A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 805ns
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_10n300hv_datasheet.pdf.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 20A 140W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247HV (IXBH)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/100ns
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 46 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV Littelfuse_Discrete_IGBTs_BiMOSFET_IXB_10N300HV_Datasheet.PDF
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXBH10N300HV IXBA(H)10N300HV.pdf
IXBH10N300HV
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 3kV
Power dissipation: 180W
Gate charge: 46nC
Technology: BiMOSFET™
Features of semiconductor devices: high voltage
Pulsed collector current: 88A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 805ns
Kind of package: tube
Case: TO247HV
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.