Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXBH10N300HV за ціною від 5225.04 грн до 5225.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXBH10N300HV | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Type of transistor: IGBT Technology: BiMOSFET™ Power dissipation: 180W Case: TO247HV Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 88A Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Collector-emitter voltage: 3kV Features of semiconductor devices: high voltage |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 180W
Case: TO247HV
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Type of transistor: IGBT
Technology: BiMOSFET™
Power dissipation: 180W
Case: TO247HV
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 88A
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 3kV
Features of semiconductor devices: high voltage
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5225.04 грн |



