Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXBH10N300HV за ціною від 4799.72 грн до 6514.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXBH10N300HV | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Case: TO247HV Kind of package: tube Gate charge: 46nC Turn-on time: 805ns Turn-off time: 2.13µs Collector current: 10A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 88A Power dissipation: 180W Collector-emitter voltage: 3kV Technology: BiMOSFET™ |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IXBH10N300HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 10A; 180W; TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Case: TO247HV
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
Turn-on time: 805ns
Turn-off time: 2.13µs
Collector current: 10A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Power dissipation: 180W
Collector-emitter voltage: 3kV
Technology: BiMOSFET™
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6514.49 грн |
| 3+ | 5340.64 грн |
| 10+ | 4799.72 грн |



